Renesas Electronics удваивает плотность быстродействующей памяти типа DRAM для сетевого оборудования

Компания Renesas Electronics объявила о доступности семейства микросхем памяти типа DRAM плотностью 576 Мбит с малыми задержками. В семейство вошли модели μPD48576109, μPD48576118, μPD48576209, μPD48576218 и μPD48576236. Они предназначены для использования в сетевом оборудовании.

По мнению аналитиков, в связи с распространением широкополосных сетей и растущей популярностью «облачных вычислений» передача огромных объемов данных по сети становится привычной. Это приводит к росту спроса на сетевое оборудование с повышенной пропускной способностью, в котором используется быстродействующая память большого объема.

По сравнению с моделями предшествующего семейства плотностью 288 Мбит, новые микросхемы имеют вдвое большую плотность, на 25% увеличенную скорость произвольного доступа (длительность цикла чтения или записи сокращена с 20 до 15 нс), на 33% повышенную рабочую частоту (с 400 до 533 МГц) и на 10% меньшее энергопотребление. Снижение энергопотребления позволяет снизить требования к подсистемам питания и охлаждения. Для удобства перехода на новую память, разработчики использовали тот же корпус площадью 11 × 18,5 мм.

Сейчас доступны ознакомительные образцы микросхем нового семейства. Массовые поставки начнутся во второй половине года.

Взято с ixbt.com