Samsung применяет технологию TSV в микросхемах памяти Green DDR3 DRAM

Компания Samsung Electronics представила модули памяти типа RDIMM объемом 8 ГБ, в которых используются микросхемы Green DDR3 DRAM. Модули, успешно протестированные основными заказчиками Samsung, характеризуются выдающимися показателями энергопотребления.

Снизить энергопотребление на 40% по сравнению с другими модулями такого же объема позволило использование вышеупомянутых микросхем повышенной плотности. В свою очередь, секрет повышения плотности заключается в применении технологии объемной компоновки с межслойными соединениями (through-silicon vias, TSV).

Повышение плотности позволит компенсировать уменьшение числа слотов для модулей памяти, которое ожидается в серверах следующего поколения. Даже с учетом сокращения числа слотов на 30%, технология TSV позволит нарастить объем памяти более чем на 50%, подсчитали в Samsung.

Суть технологии TSV заключается в использовании миниатюрных сквозных отверстий в полупроводниковых кристаллах. Будучи заполнены медью, они связывают кристаллы, направляя сигналы по кратчайшему пути. Связанные между собой кристаллы упаковываются в один корпус. По производительности многослойная конструкция сопоставима с монолитным кристаллом, а количество микросхем сокращается. Это позволяет разрешить противоречие, связанное с необходимостью увеличения объема памяти при одновременном снижении энергопотребления.

Взято с ixbt.com